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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ910EL-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2832pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ990EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@25V€650pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS990DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：85mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB70EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF@50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF@50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB70EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB70EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS990DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：85mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ974EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ974EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF@50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ974EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7922DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：195mΩ@2.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ974EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ990EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@25V€650pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF@50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ990EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@25V€650pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS990DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：85mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ910EL-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2832pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
