品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR140DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8150pF@10V
连续漏极电流:71.9A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:26nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2650pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4450pF@10V
连续漏极电流:51A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC16DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:54.3W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:0.96mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ328DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€15W€3.6W€16.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@10V€600pF@10V
连续漏极电流:11.1A€25.3A€15A€30A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ322DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@12.5V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.35mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10850pF@10V
连续漏极电流:81.7A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR140DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8150pF@10V
连续漏极电流:71.9A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ926DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:20.2W€40W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@10V€2150pF@10V
连续漏极电流:40A€60A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS28DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.52mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4952DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@13V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ322DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@12.5V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.35mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4450pF@10V
连续漏极电流:51A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4116DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS28DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.52mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC16DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:54.3W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:0.96mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ328DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€15W€3.6W€16.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@10V€600pF@10V
连续漏极电流:11.1A€25.3A€15A€30A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ320DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@12.5V€1370pF@12.5V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.65nF@10V
连续漏极电流:30.5A€60A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4560pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA26DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS28DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.52mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ320DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@12.5V€1370pF@12.5V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4116DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:39W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:44 nC @ 10 V
输入电容:2247 pF @ 10 V
连续漏极电流:60A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.65 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ926DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:20.2W€40W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@10V€2150pF@10V
连续漏极电流:40A€60A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: