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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ328DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€15W€3.6W€16.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@10V€600pF@10V
连续漏极电流：11.1A€25.3A€15A€30A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ322DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@12.5V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.35mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ926DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20.2W€40W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V€2150pF@10V
连续漏极电流：40A€60A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4952DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@13V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZ322DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@12.5V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.35mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZ328DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€15W€3.6W€16.2W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@10V€600pF@10V
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类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZ320DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@12.5V€1370pF@12.5V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZ320DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@12.5V€1370pF@12.5V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZ926DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20.2W€40W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V€2150pF@10V
连续漏极电流：40A€60A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
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漏源电压：25V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZ926DT-T1-GE3
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功率：20.2W€40W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V€2150pF@10V
连续漏极电流：40A€60A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4952DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@13V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
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规格型号(MPN)：SIZ926DT-T1-GE3
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阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：925pF@10V€2150pF@10V
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类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZ328DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€15W€3.6W€16.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@10V€600pF@10V
连续漏极电流：11.1A€25.3A€15A€30A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZ322DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W
阈值电压：2.4V@250µA
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输入电容：950pF@12.5V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.35mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
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功率：16.7W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@12.5V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.35mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
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规格型号(MPN)：SIZ320DT-T1-GE3
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功率：16.7W€31W
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连续漏极电流：30A€40A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZ320DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@12.5V€1370pF@12.5V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ926DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20.2W€40W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V€2150pF@10V
连续漏极电流：40A€60A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4228DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@12.5V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4228DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@12.5V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ320DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@12.5V€1370pF@12.5V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZ320DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@12.5V€1370pF@12.5V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ320DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@12.5V€1370pF@12.5V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ328DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€15W€3.6W€16.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@10V€600pF@10V
连续漏极电流：11.1A€25.3A€15A€30A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ328DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€15W€3.6W€16.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@10V€600pF@10V
连续漏极电流：11.1A€25.3A€15A€30A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ320DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@12.5V€1370pF@12.5V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ320DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@12.5V€1370pF@12.5V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ926DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20.2W€40W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V€2150pF@10V
连续漏极电流：40A€60A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4228DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@12.5V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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