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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS184DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：17.4A€65.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR184DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：20.7A€73A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-E3
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功率：2.5W€5W
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输入电容：1100pF@30V
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SIS184DN-T1-GE3
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：17.4A€65.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
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输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：17.4A€65.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
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规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-E3
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功率：2.5W€5W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
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导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
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导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
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输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：17.4A€65.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：20.7A€73A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
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连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SIR184DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：20.7A€73A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SIR184DP-T1-RE3
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功率：5W€62.5W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：20.7A€73A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SIR184DP-T1-RE3
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功率：5W€62.5W
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栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：20.7A€73A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS184DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：17.4A€65.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5476DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-GE3
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功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS184DN-T1-GE3
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功率：3.7W€52W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：17.4A€65.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5476DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR184DP-T1-RE3
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功率：5W€62.5W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：20.7A€73A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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功率：3.1W€31W
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栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5476DU-T1-GE3
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功率：3.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS184DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：17.4A€65.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS184DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：17.4A€65.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：17.4A€65.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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