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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU014PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU014PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU014PBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:25W€2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU014PBF 起订75个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU014PBF 起订75个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU014PBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:25W€2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€33.7W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:960pF@30V

    连续漏极电流:14.6A€44.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€33.7W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:960pF@30V

    连续漏极电流:14.6A€44.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-BE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-BE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.66W€1.09W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    输入电容:190pF@30V

    连续漏极电流:1.9A€2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€33.7W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:960pF@30V

    连续漏极电流:14.6A€44.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA444CEJW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA444CEJW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:39mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU014PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU014PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU014PBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:25W€2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA66EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA66EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA66EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.3V@250μA

    栅极电荷:98nC@10V

    输入电容:5.4nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3mΩ@10V,10A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-GE3 起订数426000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-GE3 起订数426000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.09W€1.66W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    输入电容:190pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@10V,1.9A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR182DP-T1-RE3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR182DP-T1-RE3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:69.4W

    阈值电压:3.6V@250μA

    栅极电荷:64nC@10V

    输入电容:3.25nF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10V,15A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2308CES-T1_GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2308CES-T1_GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:5.3nC@10V

    输入电容:205pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:150mΩ@10V,2.3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA444CEJW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA444CEJW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:39mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€27.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:905pF@30V

    连续漏极电流:12.6A€36.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU014PBF 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU014PBF 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU014PBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:25W€2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-BE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-BE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.66W€1.09W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    输入电容:190pF@30V

    连续漏极电流:1.9A€2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ14PBF-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ14PBF-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLZ14PBF-BE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:43W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.4nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA66EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA66EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA66EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.3V@250μA

    栅极电荷:98nC@10V

    输入电容:5.4nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3mΩ@10V,10A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR182DP-T1-RE3 起订数750个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR182DP-T1-RE3 起订数750个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:69.4W

    阈值电压:3.6V@250μA

    栅极电荷:64nC@10V

    输入电容:3.25nF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10V,15A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR182DP-T1-RE3 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR182DP-T1-RE3 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:69.4W

    阈值电压:3.6V@250μA

    栅极电荷:64nC@10V

    输入电容:3.25nF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10V,15A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€27.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:905pF@30V

    连续漏极电流:12.6A€36.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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