品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU014PBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W€2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU014PBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W€2.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€33.7W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:960pF@30V
连续漏极电流:14.6A€44.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€33.7W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:960pF@30V
连续漏极电流:14.6A€44.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.66W€1.09W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:6.8nC@10V
输入电容:190pF@30V
连续漏极电流:1.9A€2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€33.7W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:960pF@30V
连续漏极电流:14.6A€44.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU014PBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W€2.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA66EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:68W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:98nC@10V
输入电容:5.4nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.09W€1.66W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:6.8nC@10V
输入电容:190pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@10V,1.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
输入电容:3.25nF@30V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10V,15A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:5.3nC@10V
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:150mΩ@10V,2.3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W€27.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:905pF@30V
连续漏极电流:12.6A€36.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU014PBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W€2.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.66W€1.09W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:6.8nC@10V
输入电容:190pF@30V
连续漏极电流:1.9A€2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ14PBF-BE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:43W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:管件
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA66EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:68W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:98nC@10V
输入电容:5.4nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
输入电容:3.25nF@30V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10V,15A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
输入电容:3.25nF@30V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10V,15A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W€27.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:905pF@30V
连续漏极电流:12.6A€36.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: