品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR392DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9530pF@15V
连续漏极电流:82A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.62mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7315pF@25V
连续漏极电流:437A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7997DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6200pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA931DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:445pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA12ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7997DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6200pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.5W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ980DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W€66W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@15V€4600pF@15V
连续漏极电流:20A€60A
类型:2个N通道(双),肖特基
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS64DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4660pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA02DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5250pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3932DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@15V
连续漏极电流:3.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA14DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.57W€26.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@15V
连续漏极电流:19.7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4459BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.6W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3490pF@15V
连续漏极电流:20.5A€27.8A
类型:P沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:30.9A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS54DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3450pF@15V
连续漏极电流:51.1A€185.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.06Ω@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4660pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.5W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11700pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:50.5A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA931DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:445pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304DDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€1.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@15V
连续漏极电流:3.3A€3.6A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7997DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6200pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5250pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: