品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:2.425nF@15V
连续漏极电流:30A€25A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:2.425nF@15V
连续漏极电流:30A€25A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:2.425nF@15V
连续漏极电流:30A€25A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:2.425nF@15V
连续漏极电流:30A€25A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1247
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:2425pF@15V
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
连续漏极电流:30A
功率:3.6W€39W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:2.425nF@15V
连续漏极电流:30A€25A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:51nC@10V
类型:1个N沟道
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:30A€25A
输入电容:2.425nF@15V
功率:3.6W€39W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1247
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:2.425nF@15V
连续漏极电流:30A€25A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:2.425nF@15V
连续漏极电流:30A€25A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1247
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: