首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订数9000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订数9000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:2.7W

    阈值电压:3V@250μA

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925DDY-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925DDY-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.35nF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,7.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925DDY-T1-GE3 起订数30个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925DDY-T1-GE3 起订数30个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.35nF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,7.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-E3 起订数9000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-E3 起订数9000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925DDY-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925DDY-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.35nF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,7.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:4nC@5V

    输入电容:225pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@10V,2.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:4nC@5V

    输入电容:225pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@10V,2.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@5V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4420BDY-T1-E3 起订数7500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4420BDY-T1-E3 起订数7500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4420BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:42mΩ@10V,5.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:65nC@10V

    输入电容:1.96nF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18mΩ@10V,10A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@5V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7923DN-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7923DN-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:21nC@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:47mΩ@6.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925BDY-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925BDY-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,7.1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7923DN-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7923DN-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:21nC@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:47mΩ@6.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7135DP-T1-GE3 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7135DP-T1-GE3 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:250nC@10V

    输入电容:8.65nF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925BDY-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925BDY-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,7.1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W€1.66W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@10V,3.9A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:42mΩ@10V,5.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7892BDP-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7892BDP-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@4.5V

    输入电容:3.775nF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:65nC@10V

    输入电容:1.96nF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18mΩ@10V,10A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936CDY-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936CDY-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:9nC@10V

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:40mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925BDY-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925BDY-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,7.1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:3.12W

    阈值电压:3V@250μA

    连续漏极电流:4A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:65mΩ@10V,3.1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3421DV-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3421DV-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:4.2W

    阈值电压:3V@250μA

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:19.2mΩ@10V,7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936ADY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936ADY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:36mΩ@10V,5.9A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:42mΩ@10V,5.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:5.4W

    阈值电压:3V@250μA

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3mΩ@10V,25A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧