品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:2.7W
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:1.35nF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道
导通电阻:29mΩ@10V,7.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:1.35nF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道
导通电阻:29mΩ@10V,7.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2307BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:78mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:1.35nF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道
导通电阻:29mΩ@10V,7.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.16A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:4nC@5V
输入电容:225pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:4nC@5V
输入电容:225pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@5V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:30mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4420BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@10V,5.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€5.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:65nC@10V
输入电容:1.96nF@15V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:18mΩ@10V,10A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@5V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:30mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:2个P沟道
导通电阻:47mΩ@6.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个P沟道
导通电阻:25mΩ@10V,7.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:2个P沟道
导通电阻:47mΩ@6.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:250nC@10V
输入电容:8.65nF@15V
连续漏极电流:60A
类型:1个P沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:6.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:25mΩ@9.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个P沟道
导通电阻:25mΩ@10V,7.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W€1.66W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:9.6nC@10V
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@10V,3.9A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@10V,5.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@4.5V
输入电容:3.775nF@15V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€5.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:65nC@10V
输入电容:1.96nF@15V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:18mΩ@10V,10A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:325pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:2个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个P沟道
导通电阻:25mΩ@10V,7.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:3.12W
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:2个N沟道
导通电阻:65mΩ@10V,3.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:4.2W
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:19.2mΩ@10V,7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
连续漏极电流:4.4A
类型:2个N沟道
导通电阻:36mΩ@10V,5.9A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@10V,5.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:5.4W
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@10V,25A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: