品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:30.9A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS06DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3660pF@15V
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:30.9A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA06DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA06DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:30.9A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS06DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3660pF@15V
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS06DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3660pF@15V
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:30.9A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS06DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3660pF@15V
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA06DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS407ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4572pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:10.8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: