品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4532AEY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@15V€528pF@15V
连续漏极电流:7.3A€5.3A
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4937EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:75mΩ@3.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ433EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4877pF@15V
连续漏极电流:75A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4128DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@15V
连续漏极电流:10.9A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ914EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3453DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:165mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7386DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:3.8A€5A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@15V
连续漏极电流:19.1A€65.7A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA471DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:27.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@15V
连续漏极电流:12.9A€30.3A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4155DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€4.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@15V
连续漏极电流:10.2A€13.6A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ407EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.4mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3410EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1005pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:17.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:7.2A€8A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4155DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€4.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@15V
连续漏极电流:10.2A€13.6A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@5.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3481EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS66DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:85.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3327pF@15V
连续漏极电流:49.1A€178.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.38mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ951EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:17mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4532AEY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@15V€528pF@15V
连续漏极电流:7.3A€5.3A
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH617DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@15V
连续漏极电流:13.9A€35A
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH617DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@15V
连续漏极电流:13.9A€35A
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH114ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@15V
连续漏极电流:18A€35A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3457EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7998DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:25A€30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7121ADN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.5W€27.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: