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    品牌: VISHAY
    漏源电压: 30V
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    当前匹配商品:3100+
    商品信息
    参数
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4842BDY-T1-E3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4842BDY-T1-E3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4842BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3650pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7806ADN-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7806ADN-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7806ADN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR392DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR392DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR392DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:188nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9530pF@15V

    连续漏极电流:82A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.62mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1873pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7315pF@25V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4128DY-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4128DY-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4128DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:435pF@15V

    连续漏极电流:10.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA64DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA64DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7386DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7386DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7386DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4634DY-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4634DY-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4634DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3150pF@15V

    连续漏极电流:24.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1873pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5418DU-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5418DU-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7336ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA12ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3410EV-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3410EV-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3410EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1005pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1265pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@11A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1302DL-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1302DL-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1302DL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@600mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA462DJ-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA462DJ-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA462DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.5W€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR164DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR164DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR164DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:123nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3950pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:153nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10180pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3424CDV-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3424CDV-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@15V

    连续漏极电流:7.2A€8A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS64DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS64DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS64DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A€3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4430BDY-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4430BDY-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4430BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ126EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ126EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ126EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:152nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8095pF@25V

    连续漏极电流:500A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.94mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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