品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3410EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1005pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:17.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4804CDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2348ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4282EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2367pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4282EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2367pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3417DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25.2mΩ@7.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4922BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4925DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:29mΩ@7.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4282EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2367pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ844AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1161pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.6mΩ@7.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4925DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:29mΩ@7.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3417DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25.2mΩ@7.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4932DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4920EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1465pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.5mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3495EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4920EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1465pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.5mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4920EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1465pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.5mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3410EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1005pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:17.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3417DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25.2mΩ@7.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4922BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: