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    品牌
    漏源电压
    30V
    功率
    5W
    工作温度
    品牌: VISHAY
    漏源电压: 30V
    功率: 5W
    工作温度: -55℃~+150℃
    当前匹配商品:3
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925DDY-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925DDY-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.35nF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,7.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925DDY-T1-GE3 起订数30个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925DDY-T1-GE3 起订数30个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.35nF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,7.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925DDY-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925DDY-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.35nF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,7.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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