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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11700pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11700pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA80DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9530pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.62mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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功率：104W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9530pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.62mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11700pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3
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功率：6.25W€104W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11700pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11700pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11700pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA80DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9530pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.62mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11700pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
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功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
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功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11700pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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