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    品牌: VISHAY
    漏源电压: 30V
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7112DN-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7112DN-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7112DN-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@15V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121ADN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.5W€27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

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    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISH129DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH129DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

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    栅极电荷:71nC@10V

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    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

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    功率:3.7W€52W

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    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

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    输入电容:5250pF@15V

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    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121ADN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.5W€27.8W

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@15V

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    类型:P沟道

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    漏源电压:30V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISH112DN-T1-GE3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:1.5W

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    ECCN:EAR99

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    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.2W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121ADN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121ADN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121ADN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.5W€27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@15V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISH129DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH129DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

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    输入电容:3345pF@15V

    连续漏极电流:14.4A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISH112DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH112DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@15V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订14个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订14个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121ADN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121ADN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121ADN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.5W€27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.2W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@16.1A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

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    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

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    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.2W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@16.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS782DN-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS782DN-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS782DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:30.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1025pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121ADN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.5W€27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH129DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH129DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

    连续漏极电流:14.4A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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