品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
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包装方式:管件
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类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
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功率:250W
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包装方式:管件
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类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
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类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG30N60E-GE3
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功率:250W
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
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功率:250W
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类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
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类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
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类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA105N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
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类型:MOSFET
导通电阻:100mΩ
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB105N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V
栅极电荷:35nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:29A
类型:MOSFET
导通电阻:102mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHW30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG105N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V
栅极电荷:35nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:29A
类型:MOSFET
导通电阻:102mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:4V@250µA
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栅极电荷:130nC@10V
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连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:4V@250µA
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输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SiHF30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP105N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1804pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG105N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V
栅极电荷:35nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:29A
类型:MOSFET
导通电阻:102mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP105N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1804pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP105N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1804pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: