品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA600CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:54.6mΩ@3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS30DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:3.8V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.666nF@10V
连续漏极电流:15.9A€54.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.25mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ182EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:395W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:96nC@10V
输入电容:5.392nF@25V
连续漏极电流:210A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ182EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:395W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:96nC@10V
输入电容:5.392nF@25V
连续漏极电流:210A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ182EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:395W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:96nC@10V
输入电容:5.392nF@25V
连续漏极电流:210A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ182EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:395W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:96nC@10V
输入电容:5.392nF@25V
连续漏极电流:210A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ184ER-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:240nC@10V
输入电容:16.009nF@25V
连续漏极电流:430A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.6A€12A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W€3.2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.7A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W€3.2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.7A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W€3.2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.7A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ184E-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:272nC@10V
输入电容:16.01nF@25V
连续漏极电流:430A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.6A€12A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W€3.2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.7A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS30DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:3.8V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.666nF@10V
连续漏极电流:15.9A€54.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.25mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS30DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:3.8V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.666nF@10V
连续漏极电流:15.9A€54.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.25mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ184ER-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:240nC@10V
输入电容:16.009nF@25V
连续漏极电流:430A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.6A€12A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ184E-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:272nC@10V
输入电容:16.01nF@25V
连续漏极电流:430A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ184E-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:272nC@10V
输入电容:16.01nF@25V
连续漏极电流:430A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.6A€12A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:545pF@40V
连续漏极电流:6.6A€12A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: