首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌: VISHAY
    漏源电压: 80V
    阈值电压: 4V@250μA
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:20+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.6A€12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W€3.2W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.7A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W€3.2W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.7A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W€3.2W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.7A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.6A€12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W€3.2W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.7A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.6A€12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.6A€12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.6A€12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.6A€12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.6A€12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.6A€12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W€3.2W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.7A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W€3.2W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.7A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR582DP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR582DP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR582DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5.6W€92.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.36nF@40V

    连续漏极电流:116A€28.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.6A€12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W€3.2W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.7A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR582DP-T1-RE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR582DP-T1-RE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR582DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5.6W€92.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.36nF@40V

    连续漏极电流:116A€28.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.6A€12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W€3.2W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.7A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2337DS-T1-GE3

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:760mW€2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@40V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2337DS-T1-GE3

    功率:760mW€2.5W

    导通电阻:270mΩ@10V,1.2A

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:17nC@10V

    工作温度:-50℃~+150℃

    漏源电压:80V

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:2.2A

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    输入电容:500pF@40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N08-16-E3 起订4000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N08-16-E3 起订4000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD40N08-16-E3

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:16mΩ@40A,10V

    类型:1个N沟道

    功率:3W€136W

    漏源电压:80V

    阈值电压:4V@250μA

    工作温度:-55℃~+175℃

    连续漏极电流:40A

    输入电容:1.96nF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3

    栅极电荷:13nC@10V

    阈值电压:4V@250μA

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.7A€16A

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    功率:24W€3.2W

    漏源电压:80V

    导通电阻:34mΩ@4A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧