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    栅极电荷
    品牌: VISHAY
    漏源电压: 80V
    阈值电压: 4V@250μA
    栅极电荷: 76nC@10V
    当前匹配商品:1
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR580DP-T1-RE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR580DP-T1-RE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:76nC@10V

    输入电容:4.1nF@40V

    连续漏极电流:35.8A€146A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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