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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR5802DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@40V
连续漏极电流：33.6A€137.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：1.2A€2.2A
类型：P沟道
导通电阻：270mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SIR5802DP-T1-RE3
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栅极电荷：60nC@10V
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输入电容：3020pF@40V
连续漏极电流：33.6A€137.5A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：SISS588DN-T1-GE3
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功率：4.8W€56.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1380pF@40V
连续漏极电流：16.9A€58.1A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：SIR5802DP-T1-RE3
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栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@40V
连续漏极电流：35.8A€146A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
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输入电容：1380pF@40V
连续漏极电流：16.9A€58.1A
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导通电阻：8mΩ@10A，10V
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栅极电荷：17nC@10V
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输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：1.2A€2.2A
类型：P沟道
导通电阻：270mΩ@1.2A，10V
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栅极电荷：60nC@10V
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输入电容：3020pF@40V
连续漏极电流：33.6A€137.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
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连续漏极电流：33.6A€137.5A
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栅极电荷：76nC@10V
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输入电容：4100pF@40V
连续漏极电流：35.8A€146A
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导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
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连续漏极电流：1.2A€2.2A
类型：P沟道
导通电阻：270mΩ@1.2A，10V
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功率：760mW€2.5W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：1.2A€2.2A
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导通电阻：270mΩ@1.2A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS588DN-T1-GE3
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功率：4.8W€56.8W
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栅极电荷：28.5nC@10V
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连续漏极电流：16.9A€58.1A
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功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@40V
连续漏极电流：33.6A€137.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@40V
连续漏极电流：35.8A€146A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
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规格型号(MPN)：SIR580DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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