品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1286pF@75V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ872EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1045pF@25V
连续漏极电流:24.5A
类型:N沟道
导通电阻:35.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS72DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@75V
连续漏极电流:7A€25.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR622DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1516pF@75V
连续漏极电流:64.6A€56.7A
类型:N沟道
导通电阻:17.7mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@7.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@75V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:34.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@75V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS72DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@75V
连续漏极电流:7A€25.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7846DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1286pF@75V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@75V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:34.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ872EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1045pF@25V
连续漏极电流:24.5A
类型:N沟道
导通电阻:35.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS72DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@75V
连续漏极电流:7A€25.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD80460E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:65.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@50V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:44.7mΩ@8.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3440ADV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@75V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@1.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR5710DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.8A€26.8A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5710DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.2A€26.2A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD80460E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:65.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@50V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:44.7mΩ@8.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7818DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@3.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR578EP-T1-RE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.5W€150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@75V
连续漏极电流:17.4A€78A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5708DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@75V
连续漏极电流:9.3A€33.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD15N15-95-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1286pF@75V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):VS-FC420SA15
工作温度:-55℃~175℃
功率:909W
阈值电压:5.4V@1mA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13700pF@25V
连续漏极电流:400A
类型:N沟道
导通电阻:2.75mΩ@200A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: