品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@35V
连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.8A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ486EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1386pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@51A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ486EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1386pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@51A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_BE3
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功率:34W
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连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)
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漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
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输入电容:790pF@35V
连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.8A,10V
漏源电压:75V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
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输入电容:790pF@35V
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类型:2N沟道(双)
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漏源电压:75V
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库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQJ486EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@51A,10V
漏源电压:75V
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库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
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类型:2N沟道(双)
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ486EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
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输入电容:1386pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@51A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQJ486EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.1V@250µA
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输入电容:1386pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@51A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ486EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1386pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@51A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@35V
连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.8A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@35V
连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.8A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQJ486EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
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输入电容:1386pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@51A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@35V
连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.8A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQJ486EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1386pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@51A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@35V
连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.8A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@35V
连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.8A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ486EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1386pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@51A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@35V
连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.8A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ486EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
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输入电容:1386pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@51A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
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连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.8A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
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连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.8A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.8A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ486EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1386pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@51A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ486EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1386pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@51A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@35V
连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.8A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ486EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1386pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@51A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ486EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1386pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@51A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ486EP-T1_GE3
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1386pF@15V
漏源电压:75V
功率:56W
导通电阻:26mΩ@51A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:30A
包装清单:商品主体 * 1
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