品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD70140EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:802pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:802pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS892DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:611pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:802pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:802pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:802pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:802pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD70140EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS892DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:611pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:802pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD70140EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:802pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:802pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:802pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS892DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:611pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS892DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:611pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD70140EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD70140EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: