品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS888DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4.2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@75V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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栅极电荷:14.5nC@10V
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类型:N沟道
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