品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7326DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7326DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7326DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7326DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
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连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7326DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.8V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
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ECCN:EAR99
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7326DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
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连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
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漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
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类型:P沟道
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漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI7326DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
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连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7326DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.8V@250µA
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连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7326DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7326DN-T1-GE3
阈值电压:1.8V@250µA
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:13nC@5V
功率:1.5W
类型:N沟道
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:13nC@5V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7326DN-T1-GE3
阈值电压:1.8V@250µA
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:13nC@5V
功率:1.5W
类型:N沟道
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7326DN-T1-GE3
阈值电压:1.8V@250µA
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:13nC@5V
功率:1.5W
类型:N沟道
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: