品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQP50P03-07_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5380pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4660pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA02DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5250pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4660pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5250pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P03-07_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5490pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5250pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5250pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3545pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4660pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5125pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD45P03-12_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3495pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3545pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5250pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD45P03-12_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3495pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQP50P03-07_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5380pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD45P03-12_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3495pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR818DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3660pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQP50P03-07_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5380pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD45P03-12_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3495pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQP50P03-07_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5380pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5250pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD45P03-12_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3495pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P03-07_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5490pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: