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    品牌: VISHAY
    连续漏极电流: 46A
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP260PBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP260PBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP260PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:230nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@28A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA94EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA94EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA94EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA84EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA84EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA84EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP260PBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP260PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP260PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:230nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@28A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA81EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA81EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA81EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5900pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG44N65EF-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG44N65EF-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG44N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:278nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5892pF@100V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:73mΩ@22A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG44N65EF-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG44N65EF-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG44N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:278nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5892pF@100V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:73mΩ@22A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4136DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4136DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4136DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4560pF@10V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP260PBF 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP260PBF 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP260PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:230nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@28A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA81EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA81EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA81EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5900pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4136DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4136DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4136DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4560pF@10V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA94EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA94EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA94EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA94EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA94EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA94EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFPS40N50L-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFPS40N50L-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFPS40N50L-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:380nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8110pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@28A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA84EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA84EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA84EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA84EP-T1_GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA84EP-T1_GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA84EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB055N60EF-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB055N60EF-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB055N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3707pF@100V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@26.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA81EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA81EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA81EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5900pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB055N60EF-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB055N60EF-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB055N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3707pF@100V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@26.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA81EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA81EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA81EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5900pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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