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销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@10V，17A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
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功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@10V，17A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W€3.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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功率：150W€3.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@11A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W€3.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
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阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@11A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W€3.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W€3.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W€3.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W€3.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
连续漏极电流：28A
输入电容：550pF@50V
栅极电荷：19.5nC@10V
导通电阻：33mΩ@10A，10V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.7W€52W
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150W€3.7W
阈值电压：4V@250μA
输入电容：1.7nF@25V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
连续漏极电流：28A
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
栅极电荷：72nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150W€3.7W
阈值电压：4V@250μA
输入电容：1.7nF@25V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
连续漏极电流：28A
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
栅极电荷：72nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150W€3.7W
阈值电压：4V@250μA
输入电容：1.7nF@25V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
连续漏极电流：28A
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
栅极电荷：72nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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