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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC60LCPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC60LCPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPC60LCPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@9.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG16N50C-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG16N50C-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG16N50C-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415AENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB17N50LPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB17N50LPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB17N50LPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:220W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2760pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@9.9A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7716ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7716ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€27.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:846pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF068N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF068N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF068N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2628pF@100V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF068N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF068N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF068N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2628pF@100V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB17N50LPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB17N50LPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB17N50LPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:220W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2760pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@9.9A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC60LCPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC60LCPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPC60LCPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@9.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP350LCPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP350LCPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP350LCPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@9.6A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415CENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415CENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4825pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.1mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AEN-T1_BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AEN-T1_BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415AEN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4825pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.1mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4470EY-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4470EY-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4470EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.1W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3165pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484ENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484ENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€27.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415AENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS405EN-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS405EN-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS405EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:75nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB17N50LPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB17N50LPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB17N50LPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:220W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2760pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@9.9A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP350PBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP350PBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP350PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@9.6A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP350PBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP350PBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP350PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@9.6A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AEN-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AEN-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415AEN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415CENW-T1_GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415CENW-T1_GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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