品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS11N50ATRLP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.423nF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:100nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.6mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:100nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.6mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:100nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.6mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:100nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.6mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:100nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:1.9W
连续漏极电流:11A
导通电阻:9.6mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存: