采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP340PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6.6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，6.6A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：5V
栅极电荷：31nC
连续漏极电流：11A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：5V
栅极电荷：31nC
连续漏极电流：11A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP340PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6.6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，6.6A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：5V
栅极电荷：31nC
连续漏极电流：11A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：5V
栅极电荷：31nC
连续漏极电流：11A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：5V
栅极电荷：31nC
连续漏极电流：11A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS11N50ATRLP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.423nF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@6.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：100nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.6mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.2mΩ@10V，18.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.2mΩ@10V，18.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.2mΩ@10V，18.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：5V
栅极电荷：31nC
连续漏极电流：11A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：100nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.6mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.2mΩ@10V，18.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：100nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.6mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：100nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.6mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.2mΩ@10V，18.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，6.6A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9640SPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@6.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：40V
功率：1.9W
连续漏极电流：11A
导通电阻：9.2mΩ@10V，18.6A
栅极电荷：140nC@10V
类型：1个P沟道
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：1000psc
规格型号(MPN)：SIHA125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：31nC
阈值电压：5V
连续漏极电流：11A
漏源电压：600V
导通电阻：125mΩ
功率：179W
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：40V
功率：1.9W
连续漏极电流：11A
导通电阻：9.2mΩ@10V，18.6A
栅极电荷：140nC@10V
类型：1个P沟道
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：100nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：1.9W
连续漏极电流：11A
导通电阻：9.6mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：5V
栅极电荷：31nC
连续漏极电流：11A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
