品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:-12V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:-6A
栅极电荷:35nC@8V
类型:P-Channel
阈值电压:1V@250µA
功率:1.2W€1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5517DU-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
类型:N和P沟道
导通电阻:39mΩ@4.4A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:520pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1090pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:45nC@8V
输入电容:1300pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1090pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS903DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2565pF@10V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:20.1mΩ@5A,4.5V
连续漏极电流:6A
功率:2.6W€23W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2310ES-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:485pF@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:30mΩ@5A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1090pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
输入电容:865pF@10V
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:45nC@8V
输入电容:1300pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7904BDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:30mΩ@7.1A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
功率:17.8W
输入电容:860pF@10V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1275pF@6V
类型:P沟道
漏源电压:12V
栅极电荷:35nC@8V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:6A
功率:1.2W€1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1090pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:-12V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:-6A
栅极电荷:35nC@8V
类型:P-Channel
阈值电压:1V@250µA
功率:1.2W€1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:-12V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:-6A
栅极电荷:35nC@8V
类型:P-Channel
阈值电压:1V@250µA
功率:1.2W€1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7904BDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:30mΩ@7.1A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
功率:17.8W
输入电容:860pF@10V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS903DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€23W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2565pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:20.1mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:-6A
类型:P-Channel
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:-12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:-6A
类型:P-Channel
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:-12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7904BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:17.8W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@7.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: