品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3993CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:111mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI3993CDV-T1-GE3
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功率:1.4W
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@15V
连续漏极电流:2.9A
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI3993CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI3993CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
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ECCN:EAR99
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导通电阻:111mΩ@2.5A,10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI3993CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
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ECCN:EAR99
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI3993CDV-T1-GE3
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功率:1.4W
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI3993CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
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ECCN:EAR99
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导通电阻:111mΩ@2.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
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品牌:VISHAY
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI3993CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@15V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI3993CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:111mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
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类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.4A,10V
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SI3993CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:111mΩ@2.5A,10V
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规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3
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功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
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连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
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连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.4A,10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3993CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
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包装方式:卷带(TR)
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3993CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@15V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.4A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
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栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
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漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2.9A
输入电容:215pF@15V
导通电阻:50mΩ@3.4A,10V
栅极电荷:7nC@10V
阈值电压:800mV@250µA
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3993CDV-T1-GE3
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:210pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:2.2V@250µA
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ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3993CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:111mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3993CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:111mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@10V,3.4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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