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    品牌: VISHAY
    连续漏极电流: 32A
    当前匹配商品:200+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2086pF@30V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ456EP-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ456EP-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ456EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3342pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2086pF@30V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ469EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ469EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@40V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2086pF@30V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ469EP-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ469EP-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@40V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4182EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4182EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4182EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@15V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ402EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ402EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ402EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2286pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ460AEP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ460AEP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ460AEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4795pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP35N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP35N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP35N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:134nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2568pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:97mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ479EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ479EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ469EP-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ469EP-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@40V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ479EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ479EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP32N50KPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP32N50KPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP32N50KPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5280pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@32A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP32N50KPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP32N50KPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP32N50KPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5280pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@32A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2086pF@30V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4182EY-T1_BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4182EY-T1_BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4182EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@15V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ479EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ479EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ479EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ479EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ479EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ479EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2086pF@30V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4182EY-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4182EY-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4182EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@15V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2086pF@30V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ460AEP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ460AEP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ460AEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4795pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4182EY-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4182EY-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4182EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@15V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB35N60E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB35N60E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB35N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:132nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2760pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@17A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ402EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ402EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ402EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2289pF@40V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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