采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP28N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3405pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB30N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG30N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB30N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1928
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：29A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：29A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：29A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：29A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：29A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP105N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1804pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：29A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：29A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB30N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF30N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP28N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3405pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG30N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF30N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB30N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：29A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：29A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF30N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB30N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB30N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB30N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
