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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4804CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：Si4943CDY-T1-GE3
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阈值电压：3V@250µA
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输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
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规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-E3
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阈值电压：3V@250µA
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输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
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导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
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输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4922BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI9926CDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.3A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI9926CDY-T1-E3
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功率：3.1W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.3A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SI9926CDY-T1-GE3
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连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
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连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.3A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4922BDY-T1-GE3
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阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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ECCN：EAR99
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输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.3A，4.5V
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连续漏极电流：8A
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导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
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连续漏极电流：8A
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导通电阻：18mΩ@8.3A，4.5V
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规格型号(MPN)：SI4922BDY-T1-GE3
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阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI9926CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.3A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-GE3
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功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4804CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si4943CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9926CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si4943CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9926CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9926CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9926CDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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