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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4804CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4922BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SI4922BDY-T1-GE3
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功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
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输入电容：865pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
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输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
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功率：3.1W
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输入电容：865pF@15V
连续漏极电流：8A
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导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
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输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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功率：3.1W
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输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：2.4V@250µA
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输入电容：865pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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功率：3.1W
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输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
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输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI4922BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
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输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：2.4V@250µA
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输入电容：865pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI4804CDY-T1-GE3
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功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
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输入电容：865pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI4804CDY-T1-GE3
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功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
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输入电容：865pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4804CDY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
输入电容：865pF@15V
阈值电压：2.4V@250µA
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：8A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4922BDY-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
输入电容：2070pF@15V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
阈值电压：1.8V@250µA
连续漏极电流：8A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4804CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4922BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4804CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4804CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4804CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4804CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4804CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W
阈值电压：1.8V @ 250µA
栅极电荷：62nC @ 10V
输入电容：2070pF @ 15V
连续漏极电流：8A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：16 毫欧 @ 5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4922BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4922BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4804CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4922BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
