品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:11.2Ω@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34STRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:11.2Ω@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:11.2Ω@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:11.2Ω@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7414CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1590pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7414CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1590pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34STRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7414CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1590pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7414CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1590pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7414CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1590pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34STRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7414CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1590pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS414CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:18A
类型:MOSFET
导通电阻:23mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS414CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:18A
类型:MOSFET
导通电阻:23mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS414CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:18A
类型:MOSFET
导通电阻:23mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:11.2Ω@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34STRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: