品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
阈值电压:1.2V@250µA
输入电容:5590pF@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
栅极电荷:181nC@10V
类型:P沟道
功率:52W
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
功率:52W
类型:P-Channel
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9.4mΩ@15A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
功率:3.7W€52W
ECCN:EAR99
输入电容:4280pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
阈值电压:1.2V@250µA
输入电容:5590pF@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
栅极电荷:181nC@10V
类型:P沟道
功率:52W
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7153DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@15V
漏源电压:30V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:93nC@10V
功率:52W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS407ADN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9mΩ@15A,4.5V
功率:3.7W€39.1W
栅极电荷:168nC@8V
连续漏极电流:16.7A
类型:P-Channel
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:5875pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
阈值电压:1.2V@250µA
输入电容:5590pF@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
栅极电荷:181nC@10V
类型:P沟道
功率:52W
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4116DY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1925pF@15V
类型:N沟道
漏源电压:25V
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
功率:2.5W€5W
栅极电荷:56nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:58mΩ
类型:N-Channel
功率:3.8W€52W
输入电容:750pF@50V
栅极电荷:20nC@10V
连续漏极电流:5.5A
漏源电压:100V
阈值电压:4.4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR472ADP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:28nC@10V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3.3W€14.7W
输入电容:1040pF@15V
导通电阻:9mΩ@15A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9.4mΩ@15A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
功率:3.7W€52W
ECCN:EAR99
输入电容:4280pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4116DY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1925pF@15V
类型:N沟道
漏源电压:25V
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
功率:2.5W€5W
栅极电荷:56nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS407ADN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9mΩ@15A,4.5V
功率:3.7W€39.1W
栅极电荷:168nC@8V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:5875pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS407ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5875pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS407ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5875pF@10V
连续漏极电流:16.7A
类型:P-Channel
导通电阻:9mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS407ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5875pF@10V
连续漏极电流:16.7A
类型:P-Channel
导通电阻:9mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR472ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€14.7W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7153DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
类型:P-Channel
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
类型:P-Channel
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4116DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@15V
连续漏极电流:12.7A
类型:N-Channel
导通电阻:8.6mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:4.4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4116DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@15V
连续漏极电流:12.7A
类型:N-Channel
导通电阻:8.6mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4116DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: