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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DS-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：18nC@4.5V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻：32mΩ@5.3A，4.5V
类型：P沟道
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
输入电容：1100pF@6V
功率：750mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@10V，5.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：78nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：1.1nF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@4.5V，5.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@10V，5.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@10V，5.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30SPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30SPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30SPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30SPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@10V，5.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@10V，5.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：1.1nF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@4.5V，5.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：1.1nF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@4.5V，5.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：1.1nF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@4.5V，5.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30SPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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