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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH536DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.15nF@15V
连续漏极电流：24.7A€67.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.59nF@30V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@8.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH536DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.15nF@15V
连续漏极电流：24.7A€67.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.7W€62W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：95mΩ@10V，15A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.7W€62W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：95mΩ@10V，15A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.7W€62W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：95mΩ@10V，15A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
