采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：60W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@5V，5.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@10V，17A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@10V，17A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：278W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：6.49nF@50V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：278W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：6.49nF@50V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：278W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：6.49nF@50V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W€3.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.33nF@50V
连续漏极电流：24.7A€7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：278W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：6.49nF@50V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W€3.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.33nF@50V
连续漏极电流：24.7A€7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP140PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@19A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.3nC@10V
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@10V，900mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W€3.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.33nF@50V
连续漏极电流：24.7A€7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€250W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：6.55nF@25V
连续漏极电流：85A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，30A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W€3.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.33nF@50V
连续漏极电流：24.7A€7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：750pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：6.1nC@5V
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@5V，900mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.3nC@10V
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@10V，600mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：6.1nC@5V
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：540mΩ@5V，900mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W€3.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：750pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：750pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP140PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@19A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：750pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W€3.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
功率：278W
输入电容：6.49nF@50V
漏源电压：100V
导通电阻：4mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：278W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：6.49nF@50V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：3.4nC@10V
输入电容：152pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W€3.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.33nF@50V
连续漏极电流：24.7A€7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：278W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：6.49nF@50V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
