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    栅极电荷
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    行业应用
    品牌: VISHAY
    类型: N沟道
    栅极电荷: 84nC@10V
    连续漏极电流: 18.3A€79A
    当前匹配商品:2
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR104DP-T1-RE3 起订65个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR104DP-T1-RE3 起订65个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR104DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@50V

    连续漏极电流:18.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR104DP-T1-RE3 起订700个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR104DP-T1-RE3 起订700个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR104DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@50V

    连续漏极电流:18.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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