品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322DN-T1-E3
输入电容:750pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:58mΩ@5.5A,10V
功率:3.8W€52W
类型:N沟道
漏源电压:100V
阈值电压:4.4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2374DS-T1-GE3
连续漏极电流:4.5A€5.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:735pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
漏源电压:20V
功率:960mW€1.7W
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2374DS-T1-BE3
连续漏极电流:4.5A€5.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:735pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
漏源电压:20V
功率:960mW€1.7W
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
功率:2.5W€6W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
输入电容:600pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2374DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
功率:96mW€80mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
漏源电压:20V
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
ECCN:EAR99
输入电容:735pF@15V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR320PBF
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.1A
功率:2.5W€42W
导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:350pF@25V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):100psc
规格型号(MPN):IRFD320PBF
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:490mA
类型:N沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:410pF@25V
导通电阻:1.8Ω@210mA,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):IRFU320PBF
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.1A
功率:2.5W€42W
导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:350pF@25V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N50D-GE3
漏源电压:500V
导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
功率:104W
类型:N沟道
包装方式:管件
连续漏极电流:5.3A
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:325pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):100psc
规格型号(MPN):IRFD320PBF
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:490mA
类型:N沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:410pF@25V
导通电阻:1.8Ω@210mA,10V
功率:1W
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFR320TRL-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.1A
功率:2.5W€42W
导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:350pF@25V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2374DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
功率:96mW€80mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
漏源电压:20V
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
输入电容:735pF@15V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7308DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:58mΩ@5.4A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:20nC@10V
功率:3.2W€19.8W
连续漏极电流:6A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):IRFU320PBF
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.1A
功率:2.5W€42W
导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:350pF@25V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR320PBF
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.1A
功率:2.5W€42W
导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:350pF@25V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF720PBF
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:50W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:1.8Ω@2A,10V
输入电容:410pF@25V
ECCN:EAR99
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322DN-T1-E3
输入电容:750pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:58mΩ@5.5A,10V
功率:3.8W€52W
类型:N沟道
漏源电压:100V
阈值电压:4.4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:1004
规格型号(MPN):IRFR320PBF
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.1A
功率:2.5W€42W
导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:350pF@25V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2374DS-T1-GE3
连续漏极电流:4.5A€5.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:735pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
漏源电压:20V
功率:960mW€1.7W
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:58mΩ
类型:N-Channel
功率:3.8W€52W
输入电容:750pF@50V
栅极电荷:20nC@10V
连续漏极电流:5.5A
漏源电压:100V
阈值电压:4.4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR320PBF
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.1A
功率:2.5W€42W
导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:350pF@25V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
功率:2.5W€6W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
输入电容:600pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5708DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:23mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:9.3A€33.8A
功率:5W€65.7W
类型:N沟道
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:975pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2374DS-T1-GE3
连续漏极电流:4.5A€5.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:735pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
漏源电压:20V
功率:960mW€1.7W
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFR320TRL-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.1A
功率:2.5W€42W
导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:350pF@25V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR320PBF
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.1A
功率:2.5W€42W
导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:350pF@25V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3438DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@20V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:35.5mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:4.4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@50V
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR320PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3438DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@20V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:35.5mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: