品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ454EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7172ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~125℃
阈值电压:3.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@100V
连续漏极电流:5.3A€17.2A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL210TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:960mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@580mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLI630GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@3.7A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR618DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@100V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7464DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP90330E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1172pF@100V
连续漏极电流:35.8A
类型:N沟道
导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF620STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@3.1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM60N20-35_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90330E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@100V
连续漏极电流:35.1A
类型:N沟道
导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:散装
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA20EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:22.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM65N20-30-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF610PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):VS-FC270SA20
工作温度:-55℃~175℃
功率:937W
阈值电压:4.3V@1mA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:散装
输入电容:16500pF@100V
连续漏极电流:287A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@200A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD90330E-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@100V
连续漏极电流:35.8A
类型:N沟道
导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLI630GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@3.7A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF620SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@3.1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90140E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4132pF@100V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL210TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:960mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@580mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF620STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@3.1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR610DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@100V
连续漏极电流:35.4A
类型:N沟道
导通电阻:31.9mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR610DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@100V
连续漏极电流:8.9A€39.6A
类型:N沟道
导通电阻:31.9mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF610PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP260PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:280W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5200pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@28A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: