销售单位：个

规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：71W

阈值电压：3.5V@250µA

栅极电荷：85nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4000pF@25V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：5.6mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5.2W€69W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：90nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3350pF@20V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：3.8mΩ@15A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：71W

阈值电压：3.5V@250µA

栅极电荷：85nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4000pF@25V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：5.6mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5.4W€83W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：117nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4750pF@20V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：2.8mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5.2W€69W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：90nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3350pF@20V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：3.8mΩ@15A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5.2W€69W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：90nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3350pF@20V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：3.8mΩ@15A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQD50N04-4M5L_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：136W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：130nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5860pF@25V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：3.5mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5.4W€83W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：117nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4750pF@20V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：2.8mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：71W

阈值电压：3.5V@250µA

栅极电荷：85nC@10V

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输入电容：4000pF@25V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：5.6mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5.4W€83W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：117nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4750pF@20V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：2.8mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5.4W€83W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：117nC@10V

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输入电容：4750pF@20V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：2.8mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：71W

阈值电压：3.5V@250µA

栅极电荷：85nC@10V

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输入电容：4000pF@25V

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类型：N沟道

导通电阻：5.6mΩ@20A，10V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：71W

阈值电压：3.5V@250µA

栅极电荷：85nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4000pF@25V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：5.6mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SQD50N04-4M5L_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：136W

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包装方式：卷带（TR）

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类型：N沟道

导通电阻：3.5mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQD50N04-4M5L_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：136W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：130nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5860pF@25V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：3.5mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5.4W€83W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：117nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4750pF@20V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：2.8mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：71W

阈值电压：3.5V@250µA

栅极电荷：85nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4000pF@25V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：5.6mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6L_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：71W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4000pF@25V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：5.6mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6L_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：71W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4000pF@25V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：5.6mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5.4W€83W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：117nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4750pF@20V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：2.8mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5.2W€69W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：90nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3350pF@20V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：3.8mΩ@15A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQD50N04-4M5L_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：136W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：130nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5860pF@25V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：3.5mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5.4W€83W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：117nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4750pF@20V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：2.8mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5.4W€83W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：117nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4750pF@20V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：2.8mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：71W

阈值电压：3.5V@250µA

栅极电荷：85nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4000pF@25V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：5.6mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5.4W€83W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：117nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4750pF@20V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：2.8mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR414DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5.4W€83W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：117nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4750pF@20V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：2.8mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6L_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：71W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4000pF@25V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：5.6mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：71W

阈值电压：3.5V@250µA

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包装方式：卷带（TR）

输入电容：4000pF@25V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：5.6mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：71W

阈值电压：3.5V@250µA

栅极电荷：85nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4000pF@25V

连续漏极电流：50A

类型：N沟道

导通电阻：5.6mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1