包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM50034EL_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：150W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：90nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6100pF@25V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：3.9mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2V@250µA

栅极电荷：153nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10180pF@15V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.8mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUG80050E-GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：500W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：165nC@10V

包装方式：管件

输入电容：6250pF@75V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：5.4mΩ@20A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：3.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：78nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5130pF@30V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：1.7mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：125W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：204nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10500pF@20V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：204nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10500pF@20V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：153nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10180pF@15V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.8mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：220nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：11700pF@15V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：1mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUG80050E-GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：500W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：165nC@10V

包装方式：管件

输入电容：6250pF@75V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：5.4mΩ@20A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：220nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：11700pF@15V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：1mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2V@250µA

栅极电荷：153nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10180pF@15V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.8mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：3.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：78nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5130pF@30V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：1.7mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：3.4V@250µA

栅极电荷：78nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5130pF@30V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：1.7mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUG90090E-GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：395W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：129nC@10V

包装方式：管件

输入电容：5220pF@100V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：9.5mΩ@20A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：204nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10500pF@20V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：57W

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：60nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：7650pF@15V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.94mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM50034EL_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：150W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：90nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6100pF@25V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：3.9mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：3.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：78nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5130pF@30V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：1.7mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：3.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：78nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5130pF@30V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：1.7mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2V@250µA

栅极电荷：153nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10180pF@15V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.8mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：204nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10500pF@20V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUG90090E-GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：395W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：129nC@10V

包装方式：管件

输入电容：5220pF@100V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：9.5mΩ@20A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：3.4V@250µA

栅极电荷：78nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5130pF@30V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：1.7mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：153nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10180pF@15V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.8mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2V@250µA

栅极电荷：153nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10180pF@15V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.8mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：3.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：78nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5130pF@30V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：1.7mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA80DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：188nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9530pF@15V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.62mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：165nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9100pF@100V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQD50034EL_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：107W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：90nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6100pF@25V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：4mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR680DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：3.4V@250µA

栅极电荷：81nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5150pF@40V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：2.9mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1