品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP10250E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM40014EM_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15525pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP50020EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:散装
输入电容:11113pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM120N06-3M5L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14700pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP50020E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM60N20-35_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70040E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5100pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90140E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4132pF@100V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40010EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11155pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM50020EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11113pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP90142E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:管件
输入电容:31200pF@100V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:15.2mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90100E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3930pF@100V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP40010EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11155pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM120N06-3M5L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14700pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70040E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10870pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.18mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70040E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70040E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM40010EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17100pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10870pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.88mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM10250E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3002pF@125V
连续漏极电流:63.5A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@30A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM120N06-3M5L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14700pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70060E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3330pF@50V
连续漏极电流:131A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70040E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5100pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP60030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:散装
输入电容:7910pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM50020EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP10250E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM10250E_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4050pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@15A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10870pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.88mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP50020EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:散装
输入电容:11113pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: