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    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR392DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR392DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR392DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:188nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9530pF@15V

    连续漏极电流:82A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.62mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA64DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA64DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4630DY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4630DY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:161nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6670pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA12ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.5W€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS64DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS64DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS64DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA02DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA02DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA02DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€71.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6150pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS02DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS02DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS02DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4450pF@10V

    连续漏极电流:51A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA14DN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA14DN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA14DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.57W€26.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:19.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA04DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA04DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA04DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595pF@15V

    连续漏极电流:30.9A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS54DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS54DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS54DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3450pF@15V

    连续漏极电流:51.1A€185.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.06Ω@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.5W€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11700pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€100W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7300pF@20V

    连续漏极电流:54.8A€219A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.04mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS04DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS04DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4460pF@15V

    连续漏极电流:50.5A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304DDS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304DDS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304DDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€1.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@15V

    连续漏极电流:3.3A€3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11700pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€100W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7300pF@20V

    连续漏极电流:54.8A€219A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.04mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR166DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3340pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS06DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS06DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS06DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3660pF@15V

    类型:N沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR402DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR402DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR402DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W€36W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA12ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€100W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7300pF@20V

    连续漏极电流:54.8A€219A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.04mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14BDP-T1-GE3 起订12个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14BDP-T1-GE3 起订12个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA14BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€36W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:21A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS04DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS04DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4460pF@15V

    连续漏极电流:50.5A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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