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    品牌
    VISHAY
    类型
    N 通道
    工作温度
    -55°C~175°C（TJ） -55°C~150°C（TJ）
    包装方式
    卷带（TR） 管件
    功率
    3.8W（Ta），52W（Tc） 125W（Tc） 45W（Tc） 104W（Tc） 1.25W（Ta） 74W（Tc） 150W（Tc） 1.8W（Ta） 730mW（Ta） 48W（Tc） 136W（Tc） 1.6W（Ta） 25W（Tc） 250W（Tc） 62.5W（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） 1W（Ta） 62W（Tc） 78W（Tc） 39W（Tc） 430mW（Tc） 230W（Tc） 36W（Tc） 68W（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） 375W（Tc） 50W（Tc） 278W（Tc） 4.8W（Ta），57W（Tc） 3.75W（Ta），272W（Tc） 540W（Tc） 1.14W（Ta） 3.7W（Ta），88W（Tc） 13.6W（Tc） 4.8W（Ta），56.8W（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） 2W（Ta），3.5W（Tc） 37W（Tc） 52W（Tc） 1.9W（Ta） 325W（Tc） 1.56W（Ta） 1.5W（Ta） 3.75W（Ta），150W（Tc） 55W（Tc） 5W（Ta），57W（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） 57W（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） 1.25W（Ta），1.66W（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） 5W（Ta），65.7W（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 110W（Tc） 42W（Tc） 3.6W（Ta），43W（Tc） 5W（Ta），38W（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） 170W（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） 60W（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） 200mW（Ta） 54W（Tc） 3.75W（Ta），300W（Tc） 5.7W（Ta），31.25W（Tc）
    行业应用
    汽车 工业
    阈值电压
    1V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 3V @ 250µA 5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2V @ 250µA 3.5V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.9V @ 250µA 4.4V @ 250µA 900mV @ 250µA 3.6V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.6V @ 250µA 2.3V @ 250µA 3.4V @ 250µA 2V @ 250µA（最小）
    栅极电荷
    19 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 5.2 nC @ 4.5 V 45 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 8.3 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 5 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 4.1 nC @ 4.5 V 17 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 78 nC @ 7.5 V 74 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 9.6 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 25 nC @ 4.5 V 10.4 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 23 nC @ 7.5 V 204 nC @ 10 V 6.1 nC @ 5 V 77 nC @ 10 V 8.4 nC @ 5 V 35 nC @ 5 V 85 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V 24 nC @ 8 V 8 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 64 nC @ 5 V 380 nC @ 10 V 88 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 16 nC @ 5 V 8.2 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 9.7 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 80 nC @ 4.5 V 52 nC @ 10 V 18 nC @ 5 V 0.71 nC @ 4.5 V 13.5 nC @ 10 V 40 nC @ 4.5 V 122 nC @ 10 V 28 nC @ 5 V
    漏源电压
    200V 40V 500V 20V 400V 100V 650V 25V 800V 60V 30V 250V 12V 600V 80V 150V 1000V 125V
    连续漏极电流
    6A（Tc） 8A（Tc） 13A（Tc） 4.3A（Tc） 100A（Tc） 40A（Tc） 32A（Tc） 30A（Tc） 2.3A（Ta） 18A（Tc） 10A（Tc） 11A（Tc） 14A（Tc） 5A（Tc） 60A（Tc） 24A（Tc） 7A（Tc） 20A（Tc） 440mA（Tc） 9A（Tc） 12A（Ta） 8.8A（Tc） 17A（Tc） 4.5A（Tc） 2.3A（Tc） 3.4A（Ta） 9.7A（Tc） 4.1A（Tc） 375A（Tc） 2.85A（Ta） 1.7A（Ta） 70A（Tc） 30.9A（Ta），40A（Tc） 7.7A（Tc） 5.2A（Tc） 7.2A（Tc） 500mA（Tc） 2.2A（Ta） 1.5A（Tc） 46A（Tc） 7.8A（Ta），26.8A（Tc） 2.4A（Tc） 7.3A（Tc） 2A（Tc） 11.3A（Ta），39A（Tc） 2.25A（Tc） 90A（Tc） 10A（Ta），12A（Tc） 20A（Ta） 50.2A（Ta），177A（Tc） 18.6A（Tc） 110A（Tc） 4.8A（Tc） 5.5A（Tc） 115mA（Ta） 29A（Tc） 17，4A（Ta），63A（Tc） 800mA（Ta） 3.3A（Tc） 75A（Tc） 2.7A（Tc） 1.15A（Ta） 1.2A（Ta） 15A（Ta） 5.4A（Tc） 1.4A（Tc） 17A（Ta） 27A（Ta），60A（Tc） 2.1A（Ta） 25A（Tc） 9.2A（Tc） 120A（Tc） 15.2A（Ta），52.1A（Tc） 960mA（Tc） 24.5A（Tc） 23A（Ta），79.4A（Tc） 9.1A（Ta），21.4A（Tc）
    品牌： VISHAY
    类型： N 通道
    当前匹配商品：200+
    重置
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数1000个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：45W（Tc）

    阈值电压：2.5V @ 250µA

    栅极电荷：44 nC @ 10 V

    输入电容：2086 pF @ 30 V

    连续漏极电流：32A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：17 毫欧 @ 7.1A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFR220TRL-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFR220TRL-GE3 起订3000个装

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：SIHFR220TRL-GE3

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：2.5W（Ta），42W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：14 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：260 pF @ 25 V

    连续漏极电流：4.8A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：800 毫欧 @ 2.9A，10V

    漏源电压：200V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数500个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：45W（Tc）

    阈值电压：2.5V @ 250µA

    栅极电荷：44 nC @ 10 V

    输入电容：2086 pF @ 30 V

    连续漏极电流：32A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：17 毫欧 @ 7.1A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订数100个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：39W（Tc）

    阈值电压：2.5V @ 250µA

    栅极电荷：44 nC @ 10 V

    输入电容：2247 pF @ 10 V

    连续漏极电流：60A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：2.65 毫欧 @ 15A，10V

    漏源电压：25V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840PBF-BE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840PBF-BE3 起订数10个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：125W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：63 nC @ 10 V

    输入电容：1300 pF @ 25 V

    连续漏极电流：8A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：850 毫欧 @ 4.8A，10V

    漏源电压：500V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB11N50APBF-BE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB11N50APBF-BE3 起订数500个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：170W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：52 nC @ 10 V

    输入电容：1423 pF @ 25 V

    连续漏极电流：11A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：520 毫欧 @ 6.6A，10V

    漏源电压：500V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订数9000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订数9000个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：SIR4602LDP-T1-RE3

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：3.6W€43W

    阈值电压：2.5V@250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：29nC@10V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：1185pF@30V

    连续漏极电流：15.2A€52.1A

    类型：N沟道

    导通电阻：8.8mΩ@10A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订数10个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：4.8W（Ta），57W（Tc）

    阈值电压：2.5V @ 250µA

    栅极电荷：48 nC @ 10 V

    输入电容：2058 pF @ 50 V

    连续漏极电流：11.3A（Ta），39A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：14.9 毫欧 @ 15A，10V

    漏源电压：100V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4874BDY-T1-E3 起订数5000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4874BDY-T1-E3 起订数5000个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：1.6W（Ta）

    阈值电压：3V @ 250µA

    栅极电荷：25 nC @ 4.5 V

    输入电容：3230 pF @ 15 V

    连续漏极电流：12A（Ta）

    类型：N 通道

    导通电阻：7 毫欧 @ 16A，10V

    漏源电压：30V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRLI540GPBF 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLI540GPBF 起订数100个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：48W（Tc）

    阈值电压：2V @ 250µA

    栅极电荷：64 nC @ 5 V

    输入电容：2200 pF @ 25 V

    连续漏极电流：17A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：77 毫欧 @ 10A，5V

    漏源电压：100V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148E-T1_GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148E-T1_GE3 起订数500个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：325W（Tc）

    阈值电压：3.5V @ 250µA

    栅极电荷：86 nC @ 10 V

    输入电容：4930 pF @ 25 V

    连续漏极电流：375A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：1.6 毫欧 @ 20A，10V

    漏源电压：40V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840PBF-BE3 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840PBF-BE3 起订数50个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：125W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：63 nC @ 10 V

    输入电容：1300 pF @ 25 V

    连续漏极电流：8A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：850 毫欧 @ 4.8A，10V

    漏源电压：500V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRLI540GPBF 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLI540GPBF 起订数50个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：48W（Tc）

    阈值电压：2V @ 250µA

    栅极电荷：64 nC @ 5 V

    输入电容：2200 pF @ 25 V

    连续漏极电流：17A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：77 毫欧 @ 10A，5V

    漏源电压：100V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730PBF-BE3 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730PBF-BE3 起订数50个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：74W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：38 nC @ 10 V

    输入电容：700 pF @ 25 V

    连续漏极电流：5.5A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：1 欧姆 @ 3A，10V

    漏源电压：400V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30PBF-BE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30PBF-BE3 起订数500个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    包装规格(MPQ)：50psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：IRFBE30PBF-BE3

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：125W

    阈值电压：4V@250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：78nC@10V

    包装方式：管件

    输入电容：1300pF@25V

    连续漏极电流：4.1A

    类型：N沟道

    导通电阻：3Ω@2.5A，10V

    漏源电压：800V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：SQJA76EP-T1_GE3

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：68W（Tc）

    阈值电压：3.5V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：100 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：5250 pF @ 25 V

    连续漏极电流：75A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：2.4 毫欧 @ 10A，10V

    漏源电压：40V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7852ADP-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7852ADP-T1-E3 起订数500个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：5W（Ta），62.5W（Tc）

    阈值电压：4.5V @ 250µA

    栅极电荷：45 nC @ 10 V

    输入电容：1825 pF @ 40 V

    连续漏极电流：30A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：17 毫欧 @ 10A，10V

    漏源电压：80V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL014TRPBF-BE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL014TRPBF-BE3 起订数10个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：IRLL014TRPBF-BE3

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：2W€3.1W

    阈值电压：2V@250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：8.4nC@5V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：400pF@25V

    连续漏极电流：2.7A

    类型：N沟道

    导通电阻：200mΩ@1.6A，5V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148E-T1_GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148E-T1_GE3 起订数100个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：325W（Tc）

    阈值电压：3.5V @ 250µA

    栅极电荷：86 nC @ 10 V

    输入电容：4930 pF @ 25 V

    连续漏极电流：375A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：1.6 毫欧 @ 20A，10V

    漏源电压：40V

    包装清单：商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA106DJ-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA106DJ-T1-GE3 起订数10个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：3.5W（Ta），19W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：13.5 nC @ 10 V

    输入电容：540 pF @ 30 V

    连续漏极电流：10A（Ta），12A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：18.5 毫欧 @ 4A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034E_GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034E_GE3 起订数500个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：150W（Tc）

    阈值电压：3.5V @ 250µA

    栅极电荷：90 nC @ 10 V

    输入电容：6600 pF @ 25 V

    连续漏极电流：100A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：3.9 毫欧 @ 20A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3 起订10个装

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：5W€65.7W

    阈值电压：3.6V@250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：36nC@10V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：1520pF@40V

    类型：N沟道

    导通电阻：7.3mΩ@10A，10V

    漏源电压：80V

    包装清单：商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：SQJA76EP-T1_GE3

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：68W（Tc）

    阈值电压：3.5V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：100 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：5250 pF @ 25 V

    连续漏极电流：75A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：2.4 毫欧 @ 10A，10V

    漏源电压：40V

    包装清单：商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：SQJA76EP-T1_GE3

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：68W（Tc）

    阈值电压：3.5V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：100 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：5250 pF @ 25 V

    连续漏极电流：75A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：2.4 毫欧 @ 10A，10V

    漏源电压：40V

    包装清单：商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：SQJA76EP-T1_GE3

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：68W（Tc）

    阈值电压：3.5V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：100 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：5250 pF @ 25 V

    连续漏极电流：75A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：2.4 毫欧 @ 10A，10V

    漏源电压：40V

    包装清单：商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFR220TRL-GE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFR220TRL-GE3 起订15000个装

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：SIHFR220TRL-GE3

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：2.5W（Ta），42W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：14 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：260 pF @ 25 V

    连续漏极电流：4.8A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：800 毫欧 @ 2.9A，10V

    漏源电压：200V

    包装清单：商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730PBF-BE3 起订数25个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730PBF-BE3 起订数25个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：74W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：38 nC @ 10 V

    输入电容：700 pF @ 25 V

    连续漏极电流：5.5A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：1 欧姆 @ 3A，10V

    漏源电压：400V

    包装清单：商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7852ADP-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7852ADP-T1-E3 起订数10个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：5W（Ta），62.5W（Tc）

    阈值电压：4.5V @ 250µA

    栅极电荷：45 nC @ 10 V

    输入电容：1825 pF @ 40 V

    连续漏极电流：30A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：17 毫欧 @ 10A，10V

    漏源电压：80V

    包装清单：商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA76EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：SQJA76EP-T1_GE3

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：68W（Tc）

    阈值电压：3.5V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：100 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：5250 pF @ 25 V

    连续漏极电流：75A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：2.4 毫欧 @ 10A，10V

    漏源电压：40V

    包装清单：商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数10个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：45W（Tc）

    阈值电压：2.5V @ 250µA

    栅极电荷：44 nC @ 10 V

    输入电容：2086 pF @ 30 V

    连续漏极电流：32A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：17 毫欧 @ 7.1A，10V

    漏源电压：60V

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